De la mano de IBM se vienen las nuevas memorias de última generación en 3D que se nutren de un nuevo proceso de
fabricación para lograr un ancho de banda 10 veces mayor a las actuales
memorias del mercado. Voy a tratar de explicar mas o menos en
que consiste, esta memoria esta fabricada con un Cubo de Memoria Híbrida (HMC)
ideado por Micron que combinándose con el proceso de de chips por vías a través
de silicio (TSVs) (tecnología by Intel), crean una estructura en cubo que
permite mas transistores y velocidades estratosfericas comparado con cualquier
memoria RAM actual.
Esta memoria RAM 3D poseerá un proceso de fabricación de 32nm con un ancho
de banda de 128GB/s que consumirá un 70% menos de energía, además el tamaño de
la memoria se reducirá en un 90%. Como se ve es un avance enorme, esperemos que
no se tarden demasiado en ponerlo a la venta.
No hay comentarios:
Publicar un comentario